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西安電子科技大學(xué)寬帶隙半導(dǎo)體國家重點實驗室官方網(wǎng)站建設(shè)制作改版項目落地新勢力網(wǎng)絡(luò)。西安電子科技大學(xué)寬帶隙半導(dǎo)體國家重點實驗室官方網(wǎng)站:https://kdx.xidian.edu.cn/
西安電子科技大學(xué)寬帶隙半導(dǎo)體國家重點實驗室是在寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件教育部重點實驗室的基礎(chǔ)上,于2007年獲國家批復(fù)建設(shè)。目前主要研究方向包括:寬禁帶半導(dǎo)體材料生長機(jī)理與方法、寬禁帶半導(dǎo)體器件制備與應(yīng)用、新型半導(dǎo)體器件與集成電路技術(shù)系統(tǒng)應(yīng)用研究。經(jīng)過十幾年的建設(shè)與發(fā)展,重點實驗室已成為西安電子科技大學(xué)國家集成電路人才培養(yǎng)基地、國家示范性微電子學(xué)院、“電子科學(xué)與技術(shù)”一級學(xué)科、“微電子學(xué)與固體電子學(xué)”和“集成電路設(shè)計與集成系統(tǒng)”國家重點學(xué)科的重要支撐。
重點實驗室從上世紀(jì)90年代開始從事寬禁帶半導(dǎo)體方面科學(xué)研究和人才培養(yǎng),目前已成為國內(nèi)外開展寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件科學(xué)研究、人才培養(yǎng)、學(xué)術(shù)交流、校企合作、成果轉(zhuǎn)化等工作的重要基地,2020年獲國家自然科學(xué)基金創(chuàng)新研究群體。
實驗室建有一千五百多平方米的寬禁帶半導(dǎo)體超凈工藝研發(fā)線,最高潔凈度達(dá)百級,設(shè)備原值近2億元,可滿足化合物半導(dǎo)體器件制備流片工藝的技術(shù)要求。擁有材料生長設(shè)備研制、材料生長工藝、器件研制工藝、器件可靠性測試以及VLSI電路系統(tǒng)應(yīng)用設(shè)計等若干項自主關(guān)鍵技術(shù),在寬禁帶半導(dǎo)體科研體系方面具有明顯特色。
重點實驗室相關(guān)研究成果獲得國家技術(shù)發(fā)明獎3項、國家科技進(jìn)步獎4項、國家教學(xué)成果獎2項、省部級一等獎10余項,郝躍院士獲2019年度陜西省最高科學(xué)技術(shù)獎。實驗室重視研究成果轉(zhuǎn)化與應(yīng)用,“氮化鎵紫外光電技術(shù)”、“高效模數(shù)轉(zhuǎn)換器及前端集成系統(tǒng)”、“氮化鎵微波功率器件”、“低功耗集成電路系統(tǒng)芯片技術(shù)”等多項研究成果已經(jīng)應(yīng)用于國家和國民經(jīng)濟(jì)重點工程,實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化技術(shù)轉(zhuǎn)移,推進(jìn)5G通信基站、紫外工業(yè)光電應(yīng)用等相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。